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GaN-HEMT-Transistoren und ‑MMIC von Cree bieten branchenführende Leistung und...
München, 27. Juni 2011– Cree hat seine neuesten GaN-HEMT-Leistungstransistoren und ein High Power Amplifier (HPA) MMIC für den Frequenzbereich von 2,7 bis 3,5 GHz (S-Band) präsentiert. Die Produkte...
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Cree präsentiert neue Generation der 50-V-GaN-HEMT-Technologie
Transistoren ermöglichen signifikante Senkung des Energiebedarfs von Mobilfunknetzen Cree, führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen für Hochfrequenz- und...
View ArticleCree und Eta Devices präsentieren den weltweit effizientesten...
Unternehmen setzten neue Standards bei Energieverbrauch und Reduzierung von CO2-Emissionen Cree, ein führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen für Hochfrequenz-...
View ArticleCree stellt die leistungsstärksten GaN-HEMTs für das C-Band vor
München, 18. November 2014 – Cree, führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen, hat den ersten Galliumnitrid...
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